Huahao Sealing · Carbon Graphite Components
| Density | 1.75 – 1.85 g/cm³ |
| Purity | > 99.99% carbon |
| Isotropy | < 5% (CTE variation) |
| Temperature | -200°C ~ 500°C (inert atmosphere 2800°C) |
| Compressive Strength | 120 – 200 MPa |
| Shore Hardness | 55 – 75 HS |
| Grain Size | 10 – 20 μm (fine-grain) |
| Ash Content | < 100 ppm |
高纯度——碳含量>99.99%，灰分<100ppm，满足半导体和光伏行业纯度要求
各向同性——等静压成型使材料各方向性能一致，各向异性<5%，精密加工不变形
结构均匀——细颗粒结构(10-20μm)，截面性能一致，适合高精度密封件
高可加工性——硬度适中(55-75 HS)，可加工复杂几何形状和微米级公差
超高耐温——惰性气氛下可达2800℃，真空下2000℃
半导体制造——晶体生长炉加热器、坩埚、隔热罩
光伏产业——单晶硅拉晶炉石墨部件
高温真空炉——加热体、反射屏、炉床
核工业——反应堆石墨反射层和慢化剂
高精度密封——EDM加工密封件、精密模具
| 牌号 | 耐温范围 | 说明 |
|---|---|---|
| IG-11 | 2800°C | 通用等静压石墨，半导体级 |
| IG-430 | 2800°C | 高密度等静压石墨，耐磨型 |
等静压石墨采用CIP工艺各方向均匀受压成型，各向同性度<5%，结构均匀、纯度高。普通模压石墨是单向压制，各向异性大，性能方向差异大，不适合高精度和高纯度应用。
可以。等静压石墨纯度>99.99%，灰分<100ppm，满足半导体行业对材料纯度的严格要求。广泛用于晶体生长炉加热器、坩埚、隔热罩等核心部件。
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